一种超快石墨烯生长方法

成果简介：

本发明提供一类在金属、非金属平面以及针尖基底表面大面积超快生长石墨烯的方法，所述金属基底优选为 Fe、Ni、W 等，非金属基底优选为玻璃、硅、氮化硅、高分子材料等。本发明针对不同材料的性质，利用脉冲电流、微波等作用于碳化后的基底材料，通过基底表面的电流原位产生大量的热，实现材料的瞬间淬火进而在材料表面生成大范围的连续单层或多层石墨烯。利用微波法在 Si 基的 AFM 探针表面生长石墨烯的结果见附图 1，利用脉冲电流法在玻璃表面生长大面积石墨烯的结果见附图 2。

知识产权：

已提交 PCT 专利申请和中国专利申请，申请号：CN2020/085582

市场前景及效益分析：

本发明所述方法，可在不耐受长时间高温的材料表面生长界面接触良好的石墨烯；根据本发明提供的方法制备得到的石墨烯功能化 AFM 探针具有高导电性、高耐摩擦性和高空间分辨率的特点。本发明提供的方法可不受真空管式炉的尺寸限制，实现大尺寸基底材料上的石墨烯生长。将石墨烯与玻璃结合在一起，在保持透明性的基础上，同时赋予普通玻璃导电性、导热性和表面疏水性等性能。本发明提供的石墨烯生长方法具有材料和环境适应范围广、快速、能耗低等特点。以上特点有力保障了该技术的实用性转化。

技术成熟度：5

推广及合作方式：

合作转化或专利转让